2026功率半导体为何“弃银向铜”:高温逼着换,成本推着换
2026年,功率半导体行业迎来一轮罕见的涨价潮。多家国内外龙头企业相继发布调价通知,涨幅普遍在10%到20%之间,部分产品甚至更猛。潮水涌来看源头,是封装材料成本的急剧攀升。在中小功率器件中,封装成本占比已高达50%以上,而这份压力,正集中指向一个关键金属:银。

银价飙升+高温高压,双重倒逼封装材料升级
银是功率模块芯片贴装的核心材料,但对于生产企业来说,成本控制这道题永远无法绕过。近几年来银价的飙升,直接冲击了芯片贴装成本。与此同时,以SiC和GaN为代表的第三代半导体正在快速渗透——SiC器件的结温已突破175℃,传统焊料在高温可靠性上越来越力不从心。而一项更具性价比的替代方案——铜烧结技术,正成为行业焦点。

铜烧结:成本仅为银的几十分之一
从成本来看,差距更加悬殊。银成本约30元/克,铜成本约0.5元/克,理论成本可降低数十倍。更关键的是,如今的铜烧结已能够在低温低压下实现致密、高强度的连接层,其耐高温与抗热疲劳等可靠性表现已可比肩甚至超越银烧结,完全满足高可靠性封装的要求。

铜烧结的落地,离不开成熟的材料方案托底。铟泰公司面向功率半导体封装推出了两款标杆产品,覆盖加压与无压两大工艺路线,形成完整的铜烧结材料体系。随着规模化生产的推进,成本优势还将持续扩大。
InFORCE™29 & InBAKE™29
InFORCE®29
工艺适配:专为加压烧结设计,支持氮气、真空、甲酸、氮氢混合气体等多氛围环境。
广泛兼容:适用于金、银、铜等金属界面,兼容印刷与点胶工艺,应用灵活。
性能优势:在裸铜基板上的烧结强度超越金、银贵金属镀层方案。

InBAKE®29
工艺适配:既支持无压烧结,适用功率放大器、高功率LED等芯片;也支持加压烧结,可缩短工艺时间,提升效率。
核心价值:为各类高功率密度包括无法承受压力的芯片或器件提供高导热、高强度的可靠互连选择。

2026功率半导体都喜欢用铜烧结
前不久,铟泰公司中国区半导体销售经理吴坤就“烧结技术的重要性与行业趋势”进行了深度分享,迅速引发半导体、新能源、汽车电子等高端制造领域的同仁们的关注与讨论。点击上方视频观看完整回放,共同深入了解铜烧结的技术细节与应用场景。
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