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3月30日下午 2:00（美国东部标准时间），铟泰公司美国技术支持工程师Ryan Mayberry主讲一场网络研讨会，并完成了主题为《异质集成封装中sTIM工艺优化》演讲。这是铟泰公司InSIDER系列的一部分，您可在铟泰官网点播观看，也可扫描下方二维码可直接点播观看。

在过去的几十年里，sTIM(solder Thermal Interface Material)一直是大多数高性能计算 (HPC) TIM1 应用的最佳选择之一。IEEE关于异质集成封装技术路线图中指出，新的热界面材料必须满足不小于100cm²芯片封装面积的散热需求。

尽管现有GPU在使用过程中温度波动相对较小，但在未来两年内，复杂异质集成芯片中的CPU可能会达到1000W/cm²的热通量。得益于铟和铟合金高导热率、抗机械应力和长期可靠性，使其在TIM1（芯片到金属盖，即上文提到的sTIM）应用中倍受青睐。

在本次网络研讨会中，Mayberry 介绍了sTIM回流焊工艺设定、助焊剂类型和无助焊剂工艺、sTIM设计和合金选择等。并列举了不同回流工艺的参数设定，如sTIM的真空回流参数，以满足对于超低空洞率的要求。还介绍了金属TIM材料的替代技术（导热膏、导热垫片、相变材料、液态金属等）。