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近期，贵金属市场再起波澜，银价持续高位震荡，给下游产业链带来了巨大的成本压力。在追求高性能的碳化硅（SiC）功率封装模块领域，传统的银烧结工艺虽然可靠，但其成本正随着银价攀升水涨船高，成为企业降本增效中的“拦路虎”。如何破局？一项更具性价比的替代方案——铜烧结技术，正成为行业焦点。

铜烧结技术优势

与贵金属银相比，工业金属铜在成本和供应稳定性上具有天然优势。更重要的是，其核心性能毫不逊色：铜的导热率（约400 W/m·K）与银（约429 W/m·K）处于同一水平，导电率也极为接近。这意味着，对于SiC模块所需大电流承载与高效散热要求，铜烧结技术拥有得天独厚的物理基础。

得益于材料与工艺的突破，困扰铜易氧化难题已被攻克。如今的铜烧结技术，已能够实现在低温低压下实现致密、高强度的连接层，其耐高温与抗热疲劳等可靠性表现已可比肩甚至超越银烧结，完全满足高可靠性封装需求。

面对 “高性能、低成本”的终极诉求，兼具“类银性能”与“超高性价比”的铜烧结膏，无疑是破局的关键材料。为此，我们提供全面的解决方案：

InFORCE™29 & InBAKE™29

InFORCE™29

工艺适配：专为加压烧结设计，支持氮气、真空、甲酸、氮氢混合气体等多氛围环境。

广泛兼容：适用于金、银、铜等金属界面，兼容印刷与点胶工艺，应用灵活。

性能优势：在裸铜基板上的烧结强度超越金、银贵金属镀层方案。

InBAKE™29

工艺适配：既支持无压烧结，适用功率放大器、高功率LED等芯片；也支持加压烧结，可缩短工艺时间，提升效率。

核心价值：为各类高功率密度包括无法承受压力的芯片或器件提供高导热、高强度的可靠互连选择。

专家视点：不止于降本，更是面向未来的技术

铟泰公司半导体材料产品经理Dean Payne曾在接受媒体采访时指出：随着SiC器件向更高结温、更高功率密度发展，封装互连材料正面临根本性的变革。铜烧结技术的意义，远不止于应对成本压力，其材料本身的特性与宽禁带半导体技术的未来演进方向深度契合。

从加压到无压，从银到铜，铟泰公司致力于为业界提供覆盖全场景的先进烧结解决方案。如果您正寻求提升产品性能、优化封装成本，铜烧结技术将是您不可错过的选择。欢迎随时联系我们，获取详细的产品资料、技术咨询与定制化工艺支持。我们的专业团队，期待与您共同探索电力电子的高效未来。