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科技浪潮，奔涌不息。10月28-29日，铟泰公司将出席SMTA华南高科技技术研讨会与CSPT 2025两大行业盛会。铟泰公司中国区技术经理胡彦杰将带来两场紧扣行业热点的技术分享：在SMTA华南高科技技术研讨会上分享《高温无铅焊料在TOLL封装中的应用与挑战》；在与CSPT 2025同期举办的封装材料创新与合作大会技术论坛上分享《半导体先进封装材料与工艺协同创新研究》。以下为两场演讲的核心信息与内容摘要，让我们先睹为快！

SMTA华南高科技技术研讨会

演讲人： 胡彦杰

演讲时间： 10月28日 13:45 – 14:15

演讲地址： 深圳国际会展中心9/11号馆(二层) 9号会议室 9-C

演讲主题：高温无铅焊料在TOLL封装中的应用与挑战

高铅焊料（Pb > 85 wt%）因其卓越的高温性能，在包括TOLL在内的半导体分立器件封装中应用广泛，其最新的RoHS豁免使用期限为2027年底。鉴于当前高温无铅（HTLF）替代方案仍存不足，该豁免存在延期的可能。为加速高铅焊料替代，本研究基于Durafuse®技术开发了一种锡锑（SnSb）基焊锡膏（HTLF-1），该技术通过协同SnSb和共晶锡基合金粉末的双重机制，在228°C起始部分熔融并最终形成焊点。其机械强度在260°C及以上温度下依然优于高铅焊料。在PowerDI5X6-8封装中的应用验证了其作为高温功率封装HTLF方案的可行性。本研究重点探讨了HTLF-1在TOLL功率MOSFET封装中替代高铅焊料的表现，证实了其优异的直接替代性与工艺兼容性。该封装已通过MSL-1认证，并在–65°C至150°C的温度循环测试（1000次）前后与高铅焊料表现出相近的导通电阻（RDS(on)）稳定性。然而，应用HTLF-1仍面临挑战：首先，因其高锡含量，需确保芯片焊接区具有足够厚度（>350 nm镍或镍钒层）以维持界面金属间化合物（IMC）的形成连续性及后续服役可靠性，尤其适用于厚度≤100 μm的芯片；其次，HTLF-1的高硬度在提升抗疲劳性能的同时，也严苛了塑封材料的选取，否则模块存在芯片开裂，界面分层以及塑封自身的开裂风险；最后，其合金成分要求配套助焊剂需进一步优化开发，使其更加适合HTLF的应用。

中国半导体封装测试技术与市场大会

演讲人： 胡彦杰

演讲时间： 10月29日 14:30 – 14:50

演讲地址： 淮安市体育中心-网球馆

演讲主题：半导体先进封装材料与工艺协同创新研究

随着封装复杂度提升及尺寸持续微缩，依据特定组装工艺量身筛选并精准应用材料，已成为决定生产良率和封装完整性的关键因素。本课题强调创新互连材料解决方案在实现高良率、高可靠性半导体封装工艺，尤其是在复杂的先进封装应用中的关键作用，并详细分析了应对不同工艺挑战的关键材料创新：耐热化学配方的助焊剂在热压键合（TCB）和激光辅助键合（LAB）严苛条件下实现稳健互连中的应用；超低残留（ULR）免洗助焊剂，其残留水平设计为CUF&MUF底部填充材料兼容，从而在消除清洗步骤的同时，不损害界面结合和可靠性；专为无助焊剂组装开发的近零残留临时粘合材料，利用甲酸回流工艺，有效规避了传统助焊剂带来的污染风险；SiPaste®锡膏技术，提供可清洗及超低残留免洗多种选项，满足高密度系统级封装（SiP）集成中细间距互连的严苛要求。要成功实现上述应用，需要全价值链的紧密协作。铟泰公司正积极与客户及设备合作伙伴协作，以表征材料特性、优化材料-工艺交互作用，并将材料创新高效集成到先进封装生产工艺中。这种协同方法对于满足下一代半导体先进封装不断演进的高性能、高良率和高可靠性目标至关重要。

本届CSPT 2025大会聚焦先进封装工艺与AI融合等前沿议题，铟泰公司将在现场设置展位（展位号:C07），诚邀您莅临展位，共迎封测新机遇，共话产业新篇章。

主讲人胡彦杰

资深技术专家，铟泰公司中国区技术经理，深耕半导体封装领域20年，专注于先进封装技术开发与工艺优化，对电子组装及封装材料应用有着深刻的理解和丰富的实践经验。曾为众多行业头部客户提供技术支持，助力技术升级，并积累大量成功案例。

现任铟泰公司中国区技术负责人，统筹全国技术团队为半导体封装及电子制造客户提供全流程技术和产品支持。曾在CSTIC、IMAPS、CSPT、PCIM、SMTA等国内外论坛以及学术会议上发表多篇技术文章，担任中国SMTA技术顾问委员会委员、审稿人。拥有中科院计算技术研究所集成电路工程硕士及南开大学理学学士学位。

创新解决方案全面覆盖SiP封装需求

铟泰公司为行业客户提供系统级封装细间距锡膏、晶圆凸块（Bumping）助焊剂、倒装焊助焊剂、晶圆级&板级植球助焊剂、TCB&LAB助焊剂等多种焊接材料与解决方案。

两场行业盛会，场场精彩！您可根据行程安排选择参与。我们期待在现场与您深入探讨，若需了解更多，欢迎随时联系我们的专业团队获取支持。