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会议倒计时2天
第25届电子封装技术国际会议
ICEPT 2024

铟泰参会关键词：加压烧结铜膏、低空洞锡膏、焊接型导热界面材料助焊剂

会议时间：2024年8月7日-9日
会议地点：天津市社会山国际会议中心酒店

铟泰公司演讲议程抢先看

演讲人： 陆小琴

演讲时间： 8月9日 11:15

演讲地址： 天津市社会山国际会议中心酒店

演讲主题： 加压烧结铜膏在不同金属镀层的芯片或基底上的粘结性能

为满足第三代功率半导体对高热导和高电导率的需求，传统焊锡材料逐渐被烧结材料替代。其中具有高导热导电性能的烧结银在市场上日趋成熟，并被广泛应用于高功率芯片连接。但烧结银在应用中存在银迁移的现象，且成本较高。为此，同样具有高导热导电性能的烧结铜开始被关注。本课题开发了一款应用于高功率芯片连接的加压烧结铜，验证对比了氮气气氛下加压烧结铜膏在不同金属表面铜（Cu）、银(Ag)和金 (Au) 的烧结表现，并通过调整预热参数（温度和时间）和烧结参数（温度，压力和时间）实现芯片和AMB之间的高可靠性粘结。实验结果发现，在相同实验条件下，此款加压烧结铜膏在铜 (Cu) 金属表面具有最高的抗剪切强度，高达65MPa以上。加压烧结铜这一特性打破了之前烧结银膏要求芯片或AMB镀银或镀金的要求。在-65℃~ 150℃温度下进行1000次热冲击试验后，加压铜膏烧结层性能稳定无分层。此外，这款新型烧结铜膏可用于印刷和点胶，有望成为下一代半导体高可靠性连接材料。

陆小琴， 铟泰公司研发部化学研发员。合肥工业大学学士。

她在半导体和电子组装先进材料开发方面拥有10年以上的经验。曾主导项目：“表面贴装铜柱的抗润湿研究”和“稼/锗化学品的相关研究”，合作开发了可以应用于空气回流的五号粉无铅焊锡膏。目前正致力于半导体烧结材料的开发。

除上述演讲以外，我们还将于8月9日15:10-15:50在大会设置的报告展示区展出“无铅焊料在QFN应用中的空洞解决方案”和“铟导热界面材料空洞控制的研究”的技术论文报告，届时我们的技术专家会在现场答疑。欢迎大家来现场一起交流、探讨，一起畅享这场电子封装技术盛宴。

无铅焊料在QFN应用中的空洞解决方案

作者： 马丽 – 铟泰公司高级化学研发专家

展出时间： 8月9号 15:10-15：50

展出地址： 天津市社会山国际会议中心酒店（三楼展厅）

主题与编号： 无铅焊料在QFN应用中的空洞解决方案 #208

QFN（方形扁平无引脚封装）因其具有较小的尺寸，良好的散热性能和电性能而被广泛使用，然而QFN大散热焊盘的空洞控制在多场景应用中面临巨大挑战。影响空洞表现的因素有很多，其中工艺过程控制和锡膏材料选择的影响尤为重要。本课题从工艺过程方面考察了回流曲线、回流气氛（空气/氮气）对空洞的影响；从材料方面考察了金属粉径大小（SAC305 4号粉/5号粉）以及不同助焊剂配方对空洞的影响。结果显示，回流气氛对4号粉锡膏的空洞表现影响不明显，而5号粉在氮气气氛下的空洞表现明显优于空气回流；实验结果发现回流峰温和液相线以上时间对空洞表现影响显著，分析217℃-245℃之间的失重比例和空洞数据发现在此温度区间失重越低的锡膏，空洞表现越优异。这项发现可为锡膏应用回流曲线调整和材料开发设计助焊剂配方提供帮助。铟泰公司研发团队基于此开发了低空洞免洗助焊剂B，匹配SAC305 4号粉和5号粉在不同回流曲线和不同回流气氛下都有良好的空洞表现。

马丽，铟泰公司研发部高级化学研发专家。她于2010年取得南京大学物理化学硕士学位，同年加入铟泰公司。

她主要负责半导体新材料配方开发和工艺优化以满足客户需求。
她在半导体和电子组装先进材料开发方面拥有10年以上的经验。由她主导开发的超低空洞焊锡膏在2018年获得了SMT China远见奖，产品已成功应用于电子组装领域并获广泛好评。目前，她正致力于开发下一代半导体芯片贴装的烧结材料。

铟导热界面材料空洞控制的研究

作者： 周凤颖 – 铟泰公司高级化学研发员

展出时间： 8月9号 15:10-15：50

展出地址： 天津市社会山国际会议中心酒店（三楼展厅）

主题与编号： 铟导热界面材料空洞控制的研究 #206

导热界面材料（TIM）广泛应用于各类电子设备中，而焊接型热界面材料（sTIM）尤其适用于CPU, GPU芯片到外盖的应用。纯铟金属熔点低、高导热性和良好的延展性，是导热界面材料的最佳选择之一。然而，由于焊接层中空洞的存在，如低导热性能的气体或焊剂残余物，会显著降低导热性能。影响空洞的因素有很多，包括铟预成型焊片的尺寸和厚度、焊盘的表面处理以及液体助焊剂的种类和施加量等。此外，预烘烤和焊接条件也对空洞的形成也有着很强的相关性。本课题考察了上述列举的影响因素，结果表明各个因素都会对空洞产生一定的影响，并且这些因素的影响不是独立存在的。其中液体助焊剂的量增多空洞面积增大影响最为明显。此外，在一定的温度范围内使用更高的温度和更长时间的预烘烤有助于减少空洞；使用峰值温度较高的回流曲线比峰值温度较低的回流曲线产生更多的空洞。为了研究助焊剂对空洞的影响，对助焊剂样本进行了热重分析（TGA），发现在铟熔点（156°C）之前的质量损失率越高对空洞影响越大。

周凤颖，铟泰公司研发部高级化学研发员，周凤颖取得了苏州大学应用化学学士学位和无机化学硕士学位。

她在半导体和电子组装先进材料方面拥有十多年的开发经验。主要负责电子产品SMT组装焊接材料以及半导体新材料的开发。通过寻求有效的添加剂提高无铅焊膏抗跌落性能和热可靠性以及有效抑制BGA的NWO缺陷研究，发表数篇技术文章和专利。目前，她正致力于半导体芯片导热新材料的研究。

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